IPS04N03LBG

IPS04N03LB G
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IPS04N03LB G參數：MOSFET N-CH 30V 50A IPAK

類別：分立半導體產品-FET - 單
產品變化通告： ProductDiscontinuation04/Jun/2009
標準包裝：1,500
系列：OptiMOS™
包裝：管件
FET類型：MOSFETN通道，金屬氧化物
FET功能：邏輯電平門
漏源極電壓(Vdss)：30V
電流-連續漏極(Id)（25°C時）：50A
不同?Id、Vgs時的?RdsOn（最大值）：4.3毫歐@50A，10V
不同Id時的Vgs(th)（最大值）：2V@70µA
不同Vgs時的柵極電荷(Qg)：40nC@5V
不同Vds時的輸入電容(Ciss)：5200pF@15V
功率-最大值：115W
安裝類型：通孔
封裝：TO-251-3短引線，IPak，TO-251AA
供應商器件封裝：PG-TO251-3